実験装置

このDry Helium 3 Refrigerator 1 (Niki Glass, ~ 300 mK)は1日以内にベース温度まで冷却でき、テラヘルツ波照射窓を解放した状態でも最大24時間にわたり 340 mK の安定温度を維持することが可能です。

このDry Helium 3 Refrigerator 2 (Niki Glass, ~ 300 mK)はテラヘルツ波照射窓を解放した状態でも最大3日間にわたり340 mKの安定温度を維持することが可能です。

III族元素であるGa, Al, Inに加えて、V族元素のAs、およびドーパントとしてSi, Beを装着したIII-V族化合物半導体成長用の汎用分子線エピタキシー装置です。この装置を用いて、半導体超格子構造等の作製を行っています。

Ga, Al, As, およびSiのみを導入し、さらに大型クライオポンプ（CT-10）２基を装着した超高移動度半導体ヘテロ構造成長用の分子線エピタキシー装置です。10,000,000cm²/Vs程度の超高移動度を有する２次元電子系の作製を目標にしています。

本装置は真空中で電極となる金属に電流を流すことによって加熱し、蒸発させて電極薄膜を形成する装置です。本蒸着器は水晶振動子膜厚モニタを搭載しており、オングストローム精度で電極薄膜を形成することが可能です。ショットキー電極専用のものと、オーミック電極専用のものがあります。

本装置真空チャンバー内で金やアルミニウムといった金属の塊に電子線を照射して加熱し、蒸発させることで金属薄膜を作製します。　この装置には、利用頻度の高い蒸着作業の高効率化のために、クライオポンプを搭載することで、排気速度を向上しています。また、トンネル接合やナノ接合を作製するための基板角度可変機構を搭載し、多様な実験プロセスに対応しています。

写真のマスクアライナ（独SussMicroTech製）によってマイクロリソグラフィ加工を行うことが出来ます。波長400 nmの紫外線を用いて、描画したいマイクロパターンが試料に転写されます。この装置はクリーンルームの共用スペースに設置されており、他の研究室からの利用要請にも対応しています。

マイラーやKBrなど、様々なビームスプリッターを用いて、10 cm^-1から15,000 cm^-1の極めて広い周波数レンジをカバーする汎用のフーリエ分光装置です。rapid scan、step scanのどちらのミラー駆動もできることが特徴です。当研究室では、量子半導体の光電流の測定で使用しています。

光と物質との相互作用による光の散乱現象の一つであるラマン効果を利用した分析装置で、化合物の定性・定量分析や結晶構造の解析を行うことができます。特に、光源としての光の強度が強く、単色性に優れたレーザーを用いることによって高感度測定が行えます。

ワイヤボンダーは微細加工された半導体デバイスに配線をするための装置です。Au ワイヤとAl ワイヤを使用できます。当研究室では、主にセラミックパッケージと半導体デバイスを配線するために使用しています。

MILA-5000Zは、RTA(高温短時間アニール)を行うためのアニール炉です。試料室をAr雰囲気にすることで、試料の酸化を防ぎつつアニールすることができます。当研究室では、オーミックコンタクトを形成するために使用しています。

B1500AはI-V、C-V、高速パルスI-V測定等種々の測定機能を搭載した装置です。当研究室では、冷凍機と温度コントローラを併用することで、量子半導体の電気伝導の温度依存特性を調べています。

HL5500PCは、半導体の抵抗率、キャリア濃度、移動度の高精度な測定が可能なホール効果システムです。当研究室では、結晶成長した試料の特性評価に使用しています。

上記装置以外にも、生研本館とCCR棟の共通クリーンルームの装置も使用します。微細加工に必須な装置からマニアックな装置まで網羅されており、作製したい素子構造を即座に実現できる環境が用意されています。